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Colonne GC phase AITSE52 longueur 60m Ø 0.32 mm épaisseur de film 0.10 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 60m Ø 0.32 mm épaisseur de film 0.10 µm

Réf. UGAP : 2736090 Réf. constructeur : AITSE52-032-010-60

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée avec film HMDS (Retention Gap), diamètre interne 0.20mm, longueur 1 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée avec film HMDS (Retention Gap), diamètre interne 0.20mm, longueur 1 m

Réf. UGAP : 2740695 Réf. constructeur : AIT-HMDS-020-1

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 15m Ø 0.32 mm épaisseur de film 0.25 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 15m Ø 0.32 mm épaisseur de film 0.25 µm

Réf. UGAP : 2736093 Réf. constructeur : AITSE52-032-025-15

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée avec film HMDS (Retention Gap), diamètre interne 0.18mm, longueur 30 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée avec film HMDS (Retention Gap), diamètre interne 0.18mm, longueur 30 m

Réf. UGAP : 2740694 Réf. constructeur : AIT-HMDS-018-30

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 10m Ø 0.32 mm épaisseur de film 0.25 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 10m Ø 0.32 mm épaisseur de film 0.25 µm

Réf. UGAP : 2736092 Réf. constructeur : AITSE52-032-025-10

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.10mm, L=10 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.10mm, L=10 m

Réf. UGAP : 2740777 Réf. constructeur : AITHTDPTMDS01010

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 60m Ø 0.32 mm épaisseur de film 0.25 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 60m Ø 0.32 mm épaisseur de film 0.25 µm

Réf. UGAP : 2736095 Réf. constructeur : AITSE52-032-025-60

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.10mm, L=5 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.10mm, L=5 m

Réf. UGAP : 2740776 Réf. constructeur : AITHT-DPTMDS-010-5

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 50m Ø 0.32 mm épaisseur de film 0.25 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 50m Ø 0.32 mm épaisseur de film 0.25 µm

Réf. UGAP : 2736094 Réf. constructeur : AITSE52-032-025-50

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap),diam int 0.15mm, L=1 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap),diam int 0.15mm, L=1 m

Réf. UGAP : 2740779 Réf. constructeur : AITHT-DPTMDS-015-1

Sous30 j.

Colonne GC avec pré-colonne intégrée phase AITSE52 longueur 30 + 5 m Ø 0.25 mm épaisseur de film 1.00 µm

Colonne GC avec pré-colonne intégrée phase AITSE52 longueur 30 + 5 m Ø 0.25 mm épaisseur de film 1.00 µm

Réf. UGAP : 2736081 Réf. constructeur : GAPSE52025100305

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.10mm, L=20 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.10mm, L=20 m

Réf. UGAP : 2740778 Réf. constructeur : AITHTDPTMDS01020

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 50m Ø 0.25 mm épaisseur de film 1.00 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 50m Ø 0.25 mm épaisseur de film 1.00 µm

Réf. UGAP : 2736080 Réf. constructeur : AITSE52-025-100-50

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 105m Ø 0.25 mm épaisseur de film 1.00 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 105m Ø 0.25 mm épaisseur de film 1.00 µm

Réf. UGAP : 2736083 Réf. constructeur : AITSE52025100105

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.15mm, L=5 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.15mm, L=5 m

Réf. UGAP : 2740781 Réf. constructeur : AITHT-DPTMDS-015-5

Sous30 j.