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Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.25mm, L=1 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.25mm, L=1 m

Réf. UGAP : 2740797 Réf. constructeur : AITHT-DPTMDS-025-1

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 30m Ø 0.53 mm épaisseur de film 5.00 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 30m Ø 0.53 mm épaisseur de film 5.00 µm

Réf. UGAP : 2736163 Réf. constructeur : AITSE52-053-500-30

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.20mm, L=30 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.20mm, L=30 m

Réf. UGAP : 2740796 Réf. constructeur : AITHTDPTMDS02030

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 15m Ø 0.53 mm épaisseur de film 5.00 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 15m Ø 0.53 mm épaisseur de film 5.00 µm

Réf. UGAP : 2736162 Réf. constructeur : AITSE52-053-500-15

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 60m Ø 0.53 mm épaisseur de film 5.00 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 60m Ø 0.53 mm épaisseur de film 5.00 µm

Réf. UGAP : 2736165 Réf. constructeur : AITSE52-053-500-60

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap),diam int 0.25mm, L=5 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap),diam int 0.25mm, L=5 m

Réf. UGAP : 2740799 Réf. constructeur : AITHT-DPTMDS-025-5

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.25mm, L=2 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.25mm, L=2 m

Réf. UGAP : 2740798 Réf. constructeur : AITHT-DPTMDS-025-2

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 50m Ø 0.53 mm épaisseur de film 5.00 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 50m Ø 0.53 mm épaisseur de film 5.00 µm

Réf. UGAP : 2736164 Réf. constructeur : AITSE52-053-500-50

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.18mm, L=1 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.18mm, L=1 m

Réf. UGAP : 2740785 Réf. constructeur : AITHT-DPTMDS-018-1

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 15m Ø 0.53 mm épaisseur de film 7.00 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 15m Ø 0.53 mm épaisseur de film 7.00 µm

Réf. UGAP : 2736167 Réf. constructeur : AITSE52-053-700-15

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.15mm, L=30 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.15mm, L=30 m

Réf. UGAP : 2740784 Réf. constructeur : AITHTDPTMDS01530

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 75m Ø 0.53 mm épaisseur de film 5.00 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 75m Ø 0.53 mm épaisseur de film 5.00 µm

Réf. UGAP : 2736166 Réf. constructeur : AITSE52-053-500-75

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.18mm, L=5 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.18mm, L=5 m

Réf. UGAP : 2740787 Réf. constructeur : AITHT-DPTMDS-018-5

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE54 longueur 30m Ø 0.15 mm épaisseur de film 0.15 µm

Colonne GC phase AITSE54 longueur 30m Ø 0.15 mm épaisseur de film 0.15 µm

Réf. UGAP : 2736185 Réf. constructeur : AITSE54-015-015-30

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.18mm, L=2 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.18mm, L=2 m

Réf. UGAP : 2740786 Réf. constructeur : AITHT-DPTMDS-018-2

Sous30 j.