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Colonne GC phase AITSE54 longueur 5m Ø 0.05 mm épaisseur de film 0.05 µm

Colonne GC phase AITSE54 longueur 5m Ø 0.05 mm épaisseur de film 0.05 µm

Réf. UGAP : 2736171 Réf. constructeur : AITSE54-005-005-5

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE54 longueur 2.5 m Ø 0.05 mm épaisseur de film 0.05 µm

Colonne GC phase AITSE54 longueur 2.5 m Ø 0.05 mm épaisseur de film 0.05 µm

Réf. UGAP : 2736170 Réf. constructeur : AITSE5400500525

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.05mm, L=5 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.05mm, L=5 m

Réf. UGAP : 2740772 Réf. constructeur : AITHT-DPTMDS-005-5

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.10mm, L=2 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.10mm, L=2 m

Réf. UGAP : 2740775 Réf. constructeur : AITHT-DPTMDS-010-2

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE54 longueur 10m Ø 0.10 mm épaisseur de film 0.10 µm

Colonne GC phase AITSE54 longueur 10m Ø 0.10 mm épaisseur de film 0.10 µm

Réf. UGAP : 2736173 Réf. constructeur : AITSE54-010-010-10

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.10mm, L=1 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.10mm, L=1 m

Réf. UGAP : 2740774 Réf. constructeur : AITHT-DPTMDS-010-1

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE54 longueur 5m Ø 0.10 mm épaisseur de film 0.10 µm

Colonne GC phase AITSE54 longueur 5m Ø 0.10 mm épaisseur de film 0.10 µm

Réf. UGAP : 2736172 Réf. constructeur : AITSE54-010-010-5

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE54 longueur 5m Ø 0.10 mm épaisseur de film 0.20 µm

Colonne GC phase AITSE54 longueur 5m Ø 0.10 mm épaisseur de film 0.20 µm

Réf. UGAP : 2736175 Réf. constructeur : AITSE54-010-020-5

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.20mm, L=5 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.20mm, L=5 m

Réf. UGAP : 2740793 Réf. constructeur : AITHT-DPTMDS-020-5

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE54 longueur 15m Ø 0.10 mm épaisseur de film 0.10 µm

Colonne GC phase AITSE54 longueur 15m Ø 0.10 mm épaisseur de film 0.10 µm

Réf. UGAP : 2736174 Réf. constructeur : AITSE54-010-010-15

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.20mm, L=2 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.20mm, L=2 m

Réf. UGAP : 2740792 Réf. constructeur : AITHT-DPTMDS-020-2

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.20mm, L=20 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.20mm, L=20 m

Réf. UGAP : 2740795 Réf. constructeur : AITHTDPTMDS02020

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 10m Ø 0.53 mm épaisseur de film 5.00 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 10m Ø 0.53 mm épaisseur de film 5.00 µm

Réf. UGAP : 2736161 Réf. constructeur : AITSE52-053-500-10

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.20mm, L=10 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.20mm, L=10 m

Réf. UGAP : 2740794 Réf. constructeur : AITHTDPTMDS02010

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 75m Ø 0.53 mm épaisseur de film 3.00 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 75m Ø 0.53 mm épaisseur de film 3.00 µm

Réf. UGAP : 2736160 Réf. constructeur : AITSE52-053-300-75

Sous30 j.