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Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.20mm, L=2 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.20mm, L=2 m

Réf. UGAP : 2740840 Réf. constructeur : AITHT-HMDS-020-2

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 50m Ø 0.53 mm épaisseur de film 3.00 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 50m Ø 0.53 mm épaisseur de film 3.00 µm

Réf. UGAP : 2736158 Réf. constructeur : AITSE52-053-300-50

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.20mm, L=20 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.20mm, L=20 m

Réf. UGAP : 2740843 Réf. constructeur : AITHT-HMDS-020-20

Sous30 j.

Colonne GC avec pré-colonne intégrée phase AITSE52 longueur 30 + 5 m Ø 0.53 mm épaisseur de film 1.00 µm

Colonne GC avec pré-colonne intégrée phase AITSE52 longueur 30 + 5 m Ø 0.53 mm épaisseur de film 1.00 µm

Réf. UGAP : 2736145 Réf. constructeur : GAPSE52053100305

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.20mm, L=10 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.20mm, L=10 m

Réf. UGAP : 2740842 Réf. constructeur : AITHT-HMDS-020-10

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 50m Ø 0.53 mm épaisseur de film 1.00 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 50m Ø 0.53 mm épaisseur de film 1.00 µm

Réf. UGAP : 2736144 Réf. constructeur : AITSE52-053-100-50

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.25mm, L=1 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.25mm, L=1 m

Réf. UGAP : 2740845 Réf. constructeur : AITHT-HMDS-025-1

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 75m Ø 0.53 mm épaisseur de film 1.00 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 75m Ø 0.53 mm épaisseur de film 1.00 µm

Réf. UGAP : 2736147 Réf. constructeur : AITSE52-053-100-75

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.20mm, L=30 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.20mm, L=30 m

Réf. UGAP : 2740844 Réf. constructeur : AITHT-HMDS-020-30

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 60m Ø 0.53 mm épaisseur de film 1.00 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 60m Ø 0.53 mm épaisseur de film 1.00 µm

Réf. UGAP : 2736146 Réf. constructeur : AITSE52-053-100-60

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.25mm, L=5 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.25mm, L=5 m

Réf. UGAP : 2740847 Réf. constructeur : AITHT-HMDS-025-5

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 15m Ø 0.53 mm épaisseur de film 1.50 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 15m Ø 0.53 mm épaisseur de film 1.50 µm

Réf. UGAP : 2736149 Réf. constructeur : AITSE52-053-150-15

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.25mm, L=2 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.25mm, L=2 m

Réf. UGAP : 2740846 Réf. constructeur : AITHT-HMDS-025-2

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE52 longueur 10m Ø 0.53 mm épaisseur de film 1.50 µm

Colonne GC phase AITSE52 longueur 10m Ø 0.53 mm épaisseur de film 1.50 µm

Réf. UGAP : 2736148 Réf. constructeur : AITSE52-053-150-10

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap),diam int 0.18mm, L=1 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap),diam int 0.18mm, L=1 m

Réf. UGAP : 2740833 Réf. constructeur : AITHT-HMDS-018-1

Sous30 j.