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Colonne GC phase AITSE54 longueur 50m Ø 0.18 mm épaisseur de film 0.20 µm

Colonne GC phase AITSE54 longueur 50m Ø 0.18 mm épaisseur de film 0.20 µm

Réf. UGAP : 2736194 Réf. constructeur : AITSE54-018-020-50

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.15mm, L=20 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.15mm, L=20 m

Réf. UGAP : 2740831 Réf. constructeur : AITHT-HMDS-015-20

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE54 longueur 20m Ø 0.18 mm épaisseur de film 0.40 µm

Colonne GC phase AITSE54 longueur 20m Ø 0.18 mm épaisseur de film 0.40 µm

Réf. UGAP : 2736197 Réf. constructeur : AITSE54-018-040-20

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.15mm, L=10 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.15mm, L=10 m

Réf. UGAP : 2740830 Réf. constructeur : AITHT-HMDS-015-10

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE54 longueur 10m Ø 0.18 mm épaisseur de film 0.40 µm

Colonne GC phase AITSE54 longueur 10m Ø 0.18 mm épaisseur de film 0.40 µm

Réf. UGAP : 2736196 Réf. constructeur : AITSE54-018-040-10

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE54 longueur 50m Ø 0.18 mm épaisseur de film 0.40 µm

Colonne GC phase AITSE54 longueur 50m Ø 0.18 mm épaisseur de film 0.40 µm

Réf. UGAP : 2736199 Réf. constructeur : AITSE54-018-040-50

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap),diam int 0.53mm, L=60 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap),diam int 0.53mm, L=60 m

Réf. UGAP : 2740817 Réf. constructeur : AITHTDPTMDS05360

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.53mm, L=30 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film DPTMDS (Retention Gap), diam int 0.53mm, L=30 m

Réf. UGAP : 2740816 Réf. constructeur : AITHTDPTMDS05330

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE54 longueur 40m Ø 0.18 mm épaisseur de film 0.40 µm

Colonne GC phase AITSE54 longueur 40m Ø 0.18 mm épaisseur de film 0.40 µm

Réf. UGAP : 2736198 Réf. constructeur : AITSE54-018-040-40

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE54 longueur 20m Ø 0.20 mm épaisseur de film 1.00 µm

Colonne GC phase AITSE54 longueur 20m Ø 0.20 mm épaisseur de film 1.00 µm

Réf. UGAP : 2736217 Réf. constructeur : AITSE54-020-100-20

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.05mm, L=2 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.05mm, L=2 m

Réf. UGAP : 2740819 Réf. constructeur : AITHT-HMDS-005-2

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.05mm, L=1 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.05mm, L=1 m

Réf. UGAP : 2740818 Réf. constructeur : AITHT-HMDS-005-1

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE54 longueur 10m Ø 0.20 mm épaisseur de film 1.00 µm

Colonne GC phase AITSE54 longueur 10m Ø 0.20 mm épaisseur de film 1.00 µm

Réf. UGAP : 2736216 Réf. constructeur : AITSE54-020-100-10

Sous30 j.

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.05mm, L=10 m

Pré-colonne GC, silice fondue désactivée utilisation haute T, film HMDS (Retention Gap), diam int 0.05mm, L=10 m

Réf. UGAP : 2740821 Réf. constructeur : AITHT-HMDS-005-10

Sous30 j.

Colonne GC phase AITSE54 longueur 50m Ø 0.20 mm épaisseur de film 1.00 µm

Colonne GC phase AITSE54 longueur 50m Ø 0.20 mm épaisseur de film 1.00 µm

Réf. UGAP : 2736219 Réf. constructeur : AITSE54-020-100-50

Sous30 j.